NVIDIA lance NVHBM, une mémoire haute bande passante intégrant son contrôleur directement dans la pile 3D. Résultat : jusqu’à 30 % de bande passante supplémentaire par rapport au HBM4E, avec une consommation réduite de 15 % et 25 % de surface de calcul libérée sur le processeur.
Un contrôleur mémoire déplacé pour gagner en efficacité
Contrairement au HBM classique, où le contrôleur mémoire occupe de la place sur le die du processeur (GPU, XPU, etc.), NVHBM l’intègre dans la base de la pile HBM elle-même. Cette approche, déjà prévue pour les futurs GPU de NVIDIA, est désormais proposée aux partenaires via NVLink Fusion. Elle permet de libérer jusqu’à 25 % de surface sur le die de calcul, tout en améliorant les performances.
Les gains proviennent aussi d’une interface physique (PHY) redessinée : NVIDIA affirme réduire jusqu’à 67 % la surface occupée par les entrées/sorties par rapport au HBM4E standard, et simplifier le routage sur l’interposeur, ce qui libère jusqu’à 80 % de surface utilisable sur le layout.
Premier partenaire : Amazon et ses puces Trainium
Amazon, via sa filiale Annapurna Labs, sera le premier à adopter NVHBM dans le cadre de sa collaboration avec NVIDIA autour de NVLink Fusion. Cette technologie sera intégrée aux futures puces Trainium4, permettant une interopérabilité entre les processeurs Amazon et les GPU NVIDIA au sein d’une même architecture rack-scale.
« NVHBM représente une nouvelle approche architecturale pour améliorer les performances et l’efficacité de la mémoire haute bande passante. » — Nafea Bshara, vice-président d’Annapurna Labs chez Amazon
Une standardisation pour accélérer l’adoption
NVIDIA propose une implémentation standardisée de NVHBM, accessible via plusieurs fournisseurs de mémoire. L’objectif : réduire l’effort d’intégration et de qualification pour les partenaires, et accélérer la mise sur le marché de puces semi-custom. NVLink Fusion, qui permet de connecter des XPU personnalisés à l’écosystème NVIDIA (NVLink chiplets, switches, systèmes MGX), complète cette offre.
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Contexte : la pénurie de mémoire persiste, les usines se multiplient
La demande en mémoire, notamment pour l’IA, reste soutenue. SK hynix, l’un des principaux fabricants, estime que la pénurie durera jusqu’en 2030, en raison d’une demande croissante pour des configurations DRAM et HBM personnalisées, moins sujettes aux excès d’offre. Le constructeur a d’ailleurs lancé la construction d’une usine dédiée à l’assemblage de HBM aux États-Unis, à West Lafayette (Indiana), pour un coût de 4 milliards de dollars. La production en volume est prévue pour le second semestre 2029.
Cette usine, qui emploiera 1 000 personnes, se concentrera sur l’assemblage, le test et la R&D de HBM, en utilisant des wafers produits en Corée du Sud. SK hynix y installera aussi un laboratoire de R&D en packaging avancé, en partenariat avec l’université Purdue.
NVHBM s’inscrit dans une tendance plus large : l’intégration verticale des composants mémoire pour répondre aux besoins croissants de l’IA. Avec des gains concrets en bande passante et en efficacité énergétique, la technologie pourrait devenir un standard pour les infrastructures semi-custom, tandis que les acteurs comme SK hynix investissent massivement pour suivre la demande.
Sources
NVIDIA — NVIDIA NVLink Fusion Expands With NVHBM Custom High-Bandwidth Memory
TechPowerUp — NVIDIA NVHBM Memory Promises 30% Higher Bandwidth Than HBM4E
TechPowerUp — SK hynix CEO Says Memory Shortage Will Last Through 2030
Tom's Hardware — SK hynix breaks ground on the first HBM plant in the US
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